Проект

Разработка метода структурной обработки буферных эпитаксиальных слоев для повышения критического тока

Набор закрыт

Описание проекта:

Широкому внедрению сверхпроводниковых кабелей и сверхпроводникового силового электротехнического оборудования, которое по всем техническим показателям существенно превосходит электрооборудование традиционного исполнения, препятствует высокая стоимость ВТСП - 2 проводов (~150 долл./1 кА·м).

Сегодня основная задача всех технологических разработок мировых производителей ВТСП - 2 проводов – снижение стоимости до уровня стоимости аналогичного медного провода (~10 долл./1 кА·м).

Повышение критического тока [кА] при прочих равных параметрах ВТСП - 2 проводов является одним из основных факторов снижения его стоимости.

Разрабатываемая технология формирования эпитаксиальных оксидных покрытий с применением процессов магнитной структурной обработки обеспечит достижение существенно улучшенных по сравнению с известными аналогами структурных, текстурных и морфологических характеристик и повышение критического тока в токопроводящем элементе ВТСП-2 провода не менее чем в полтора раза.

Работы по проекту ВТСП-2 относятся к первым трем направлениям деятельности ОАО «Гиредмет». К ним привлекаются специалисты и студенты МИСиС, в частности в проведении исследований методами электронной Оже-спектроскопии, рентгеновской фотоэлектронной спектроскопии, вторичной ионной масс-спектрометрии, электронной, туннельной и атомно-силовой микроскопии, различными методами рентгеновского анализа.

По этой тематике было выполнено несколько дипломных работ.

Цель проекта:

Разработка метода структурной обработки буферных эпитаксиальных слоев в технологии ВТСП-2 провода для повышения критического тока

Профиль студентов (требования к базовой подготовке/задачи в проекте):

Основное требование: интерес к профессии, желание развиваться в выбранном направлении

  • Умение быстро и эффективно добывать необходимую информацию (Интернет, литература)
  • Английский язык - хороший технический (самостоятельная работа с англоязычной технической документацией), желательно - разговорный

Профиль студентов (направление подготовки):

  • Базовое инженерно-физическое образование (Физтех, МИСиС, МИФИ)

Характер задач для студентов в проекте:

  • Инженерный (отладка технологии)

Для записи на собеседование в этот проект необходимо связаться с представителем проекта:

Манцевич Николай Маркович