Сегодня и завтра (31 октября -1 ноября) в НИТУ «МИСИС» eNANO проводит двухдневный учебный семинар с участием международного эксперта, лектора Калифорнийского университета в Санта-Крус, отделения в Кремниевой Долине, инженера управленческого аппарата компании Synopsys Чарльза Данчек (Charles Dancak).

Чарльз Данчек рассказывает о поэтапной разработке интегральных схем специального назначения (ASIC) по технологиям наноуровня (32 нм и ниже).

Микросхемы по технологиям наноуровня (32 нм и ниже) еще не перешли в массовую разработку на территории Российской Федерации. Причина - нехватка необходимого оборудования, не определены зоны применения и экономические риски. Однако, на взгляд Ч.Данчека, специалистам по микроэлектронике в России уже сейчас надо двигаться на опережение, знакомиться с особенностями технологии  проектирования на этом уровне.

На семинаре также расскажут, как полученные знания смогут стать полезными для специалистов, применяющих сейчас технологию проектирования микросхем на уровне 60 нм. И насколько экономически обоснован для предприятий-производителей выход на уровень 32 нм и ниже. Лектор разъяснит ключевые понятия, часто используемые аббревиатуры и даст возможность слушателям получить  фундаментальное понимание того, как сегодняшние Системы на Кристалле разрабатываются, верифицируются, имплементируются в топологии и затем производятся и корпусируются.

На семинаре был представлен кейс российской компании, использующей инструмент САПР.

Ведущий семинара Ч. Данчек (США) опирается на свои обширные знания в области проектирования верхнего уровня (front-end design), тестопригодного проектирования (design-for-test), МОП производства и физики твердого тела.

Место проведения: НИТУ «МИСиС», г. Москва, Ленинский проспект, д.4, главный корпус, аудитория Б-3.

Видеозапись трансляции будет подготовлена по итогам семинара, следите за анонсами.