Вакуумно-плазменные процессы в технологии наноэлектроники
500
250
Срок доступа 60 дней
Описание курса

Курс предназначен для самоподготовки в формате e-learning специалистов наноиндустрии, относящихся к категории инженер – технолог, в целях последующего прохождения оценки и сертификации квалификаций в рамках профессионального стандарта «Производство наноразмерных полупроводниковых приборов и интегральных схем с использованием нанотехнологий» по разделу "Вакуумно-плазменные процессы в технологии наноэлектроники".

Курс содержит 11 видеолекций, тестирования для самопроверки усвоения материала, проектное задание и 4 лабораторных работы:

  • изучение процесса реактивного ионного травления диэлектрических слоев;
  • исследование процессов формирования наноразмерных структур в кремнии с помощью реактивного ионного травления;
  • изучение процесса плазмостимулированного химического осаждения из газовой фазы для получения тонких диэлектрических пленок при изготовлении изделий наноэлектроники;
  • изучение процесса магнетронного распыления для получения тонких металлических пленок.
Содержание курса
1
Плазменные процессы в наноэлектронике

2
Основные понятия плазменного травления

Технологические и операционные параметры плазменного травления. Современные требования к процессам плазменного травления

3
Процессы плазменного травления функциональных слоев микро- и наноэлектроники

Плазменное травление антиотражающих покрытий при формировании фоторезистивной маски. Формирование «твердой» маски плазменным методом

4
Плазменное травление диоксида кремния и нитрида кремния

Плазменное травление д/э при формировании контактных окон. Особенности травления диэлектрических слоев трехмерных наноструктур. Механизм «задержка РИТ». Эффект микрозагрузки. Эффект зарядки поверхности.

5
Плазменное травление диоксида кремния и нитрида кремния

Плазменное травление д/э при формировании контактных окон. Особенности травления диэлектрических слоев трехмерных наноструктур. Механизм «задержка РИТ». Эффект микрозагрузки. Эффект зарядки поверхности.

6
Плазменное травление поликремниевых затворов

Травление стековых проводников затвора. Формирование мелкощелевой изоляции.

7
Плазменное травление алюминия и его сплавов

Особенности процессов плазменного формирования металлической разводки

8
Классификация процессов ХОГФ функциональных слоев ИМС

Характеристики структуры до и после операции осаждения функционального слоя. Технологические и операционные характеристики процессов осаждения функциональных слоев ИМС

9
Термоактивируемые процессы химического осаждения из газовой фазы

Механизмы термоактивированных процессов ХОГФ. ХОГФ различных функциональных слоев

10
Стимулированное плазмой осаждение пленок различных диэлектрических материалов, тугоплавких металлов и их силицидов, используемых при формировании наноструктур

Стимулированное плазмой осаждение пленок диоксида кремния и нелегированных силикатных стекол. Стимулированное плазмой осаждение пленок нитрида кремния и оксинитрида кремния. Стимулированное плазмой осаждение пленок диэлектриков с низкой диэлектрической постоянной. Стимулированное плазмой осаждение пленок титана, его силицидов и нитридов. Стимулированное плазмой осаждение из газовой фазы пленок вольфрама и молибдена

11
Процессы осаждения с дискретной подачей реагентов

Атомно-слоевое осаждение пленок диэлектриков с высокой диэлектрической постоянной. Процессы атомно-слоевого осаждения пленок тантала и его нитридов

12
Процессы физического осаждения из газовой фазы

Магнетронное распыление материалов. Современные магнетронные системы и их особенности Лабораторные работы:

  • Изучение процесса реактивного ионного травления диэлектрических слоев
  • Исследование процессов формирования наноразмерных структур в кремнии с помощью реактивного ионного травления
  • Изучение процесса плазмостимулированного химического осаждения из газовой фазы для получения тонких диэлектрических пленок при изготовлении изделий наноэлектроники
  • Изучение процесса магнетронного распыления для получения тонких металлических пленок
ПОДЕЛИТЬСЯ В СОЦИАЛЬНЫХ СЕТЯХ
автор курса
ГОЛИШНИКОВ

АЛЕКСАНДР АНАТОЛЬЕВИЧ

ПУТРЯ

МИХАИЛ ГЕОРГИЕВИЧ

к.т.н. начальник лаборатории «Верификции СнК и СФ-блоков» ОАО НПЦ ЭЛВИС, с.н.с. НИУ МИЭТ. Специалист в области разработки и верификации систем-на-кристалле и цифровых сложно функциональных блоков, включая процессоры различной архитектуры.

ВСЕ КУРСЫ АВТОРА
По окончании курса вы сможете
ПОДЕЛИТЬСЯ В СОЦИАЛЬНЫХ СЕТЯХ
Для кого этот курс
специалисты наноиндустрии, относящиеся к категории инженер – технолог
ПОДЕЛИТЬСЯ В СОЦИАЛЬНЫХ СЕТЯХ
Отзывы
Отзывов пока нет
Авторизуйтесь, чтобы оставить отзыв
ПОДЕЛИТЬСЯ В СОЦИАЛЬНЫХ СЕТЯХ
Выдаем документ об окончании