Вакуумно-плазменные процессы в технологии наноэлектроники
Курс предназначен для самоподготовки в формате e-learning специалистов наноиндустрии, относящихся к категории инженер – технолог, в целях последующего прохождения оценки и сертификации квалификаций в рамках профессионального стандарта «Производство наноразмерных полупроводниковых приборов и интегральных схем с использованием нанотехнологий» по разделу "Вакуумно-плазменные процессы в технологии наноэлектроники".
Курс содержит 11 видеолекций, тестирования для самопроверки усвоения материала, проектное задание и 4 лабораторных работы:
- изучение процесса реактивного ионного травления диэлектрических слоев;
- исследование процессов формирования наноразмерных структур в кремнии с помощью реактивного ионного травления;
- изучение процесса плазмостимулированного химического осаждения из газовой фазы для получения тонких диэлектрических пленок при изготовлении изделий наноэлектроники;
- изучение процесса магнетронного распыления для получения тонких металлических пленок.
Технологические и операционные параметры плазменного травления. Современные требования к процессам плазменного травления
Плазменное травление антиотражающих покрытий при формировании фоторезистивной маски. Формирование «твердой» маски плазменным методом
Плазменное травление д/э при формировании контактных окон. Особенности травления диэлектрических слоев трехмерных наноструктур. Механизм «задержка РИТ». Эффект микрозагрузки. Эффект зарядки поверхности.
Плазменное травление д/э при формировании контактных окон. Особенности травления диэлектрических слоев трехмерных наноструктур. Механизм «задержка РИТ». Эффект микрозагрузки. Эффект зарядки поверхности.
Травление стековых проводников затвора. Формирование мелкощелевой изоляции.
Особенности процессов плазменного формирования металлической разводки
Характеристики структуры до и после операции осаждения функционального слоя. Технологические и операционные характеристики процессов осаждения функциональных слоев ИМС
Механизмы термоактивированных процессов ХОГФ. ХОГФ различных функциональных слоев
Стимулированное плазмой осаждение пленок диоксида кремния и нелегированных силикатных стекол. Стимулированное плазмой осаждение пленок нитрида кремния и оксинитрида кремния. Стимулированное плазмой осаждение пленок диэлектриков с низкой диэлектрической постоянной. Стимулированное плазмой осаждение пленок титана, его силицидов и нитридов. Стимулированное плазмой осаждение из газовой фазы пленок вольфрама и молибдена
Атомно-слоевое осаждение пленок диэлектриков с высокой диэлектрической постоянной. Процессы атомно-слоевого осаждения пленок тантала и его нитридов
Магнетронное распыление материалов. Современные магнетронные системы и их особенности Лабораторные работы:
- Изучение процесса реактивного ионного травления диэлектрических слоев
- Исследование процессов формирования наноразмерных структур в кремнии с помощью реактивного ионного травления
- Изучение процесса плазмостимулированного химического осаждения из газовой фазы для получения тонких диэлектрических пленок при изготовлении изделий наноэлектроники
- Изучение процесса магнетронного распыления для получения тонких металлических пленок
