Технология производства наногетероструктурных СВЧ монолитных интегральных схем
1 000
500
Срок доступа 60 дней
Описание курса

В курсе даются основы технологии производства МИС СВЧ, параметры гетероструктур и материалов, применяемых в технологии МИС СВЧ и методики контроля при производстве МИС СВЧ.

Целью обучения является совершенствование и освоение профессиональных компетенций, необходимых для выполнения следующих видов профессиональной деятельности в рамках имеющейся квалификации для профессионального стандарта «Инженер-технолог в области производства наногетероструктурных СВЧ МИС»:

  • реализация технологии на основе проекционной литографии;
  • реализация технологии на основе электронной литографии;
  • моделирование наногетероструктур, активных и пассивных элементов, технологических операций изготовления гетероструктурных МИС СВЧ с использованием технологических систем моделирования и проектирования элементов и технологий полупроводниковых ИС, в том числе МИС СВЧ, изготавливаемых на основе гетероструктур (TCAD);
  • определение методик тестирования качества эпитаксиальных слоев.

Пройти профессиональный экзамен и подтвердить уровень своей квалификации Вы можете в Центре оценки квалификаций в наноиндустрии.

Содержание курса
1
Формирование наногетероструктурных МИС СВЧ
2
Технология получения наногетероструктур методами эпитаксии
3
Методы измерения и тестирования параметров наногетероструктур
4
Материалы, используемые в производстве МИС СВЧ
5
Субмикронная литография
6
Электронно-лучевая литография
7
Травление в технологии МИС СВЧ
8
Осаждение металлов и диэлектриков
9
Моделирование технологических процессов травления и осаждения
10
Технологические маршруты изготовления МИС СВЧ
ПОДЕЛИТЬСЯ В СОЦИАЛЬНЫХ СЕТЯХ
автор курса
ТРОЯН

ПАВЕЛ ЕФИМОВИЧ

Заведующий кафедрой Физической электроники ТУСУР, д-р техн. наук – специалист в области твердотельной электроники, микроэлектроники, функциональной электроники, современной электроники и наноэлектроники.

ВСЕ КУРСЫ АВТОРА
По окончании курса вы сможете
применять метод декомпозиции при анализе тестовых структур и МИС СВЧ;
оценивать допуски на элементы при межоперационном контроле параметров;
планировать и оптимизировать контрольные операции в процессе прохождения пластин по технологическому маршруту;
выбирать методики измерения параметров тестовых структур и оборудование для межоперационного контроля технологического процесса;
рассчитывать параметры МИС с учетом особенностей топологии;
работать на установке литографии;
работать на установке изготовления фотошаблонов.
ПОДЕЛИТЬСЯ В СОЦИАЛЬНЫХ СЕТЯХ
Для кого этот курс
инженеры-технологи
ведущие инженеры-технологи
ПОДЕЛИТЬСЯ В СОЦИАЛЬНЫХ СЕТЯХ
Отзывы
Отзывов пока нет
Авторизуйтесь, чтобы оставить отзыв
ПОДЕЛИТЬСЯ В СОЦИАЛЬНЫХ СЕТЯХ
Выдаем документ об окончании